MT47H128M8HQ-3:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，核心优势在于其333MHz的时钟频率，结合DDR2技术实现高达667MT/s的数据传输速率，同时保持了450ps的低访问时间，为系统提供了优异的数据吞吐能力和响应速度。
芯片工作在1.8V左右的核心电压，有助于控制整体功耗，并采用60-FBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。其工作温度范围为0°C至85°C，满足主流商业及工业应用环境要求。这款存储器主要面向需要可靠、高速数据缓冲和处理的嵌入式网络、通信及计算设备。
- 型号:MT47H128M8HQ-3:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
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