MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR是一款由美光科技制造的512Gb NAND闪存芯片，采用并联接口和48-TFSOP封装。其核心卖点在于高存储密度（64G x 8组织）和100MHz的高速时钟频率，能够实现快速数据读写，适用于对性能要求严格的应用场景。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围0°C至70°C，具备良好的电源兼容性和环境适应性。作为非易失性存储器，它在断电后能可靠保存数据，并支持表面贴装，便于集成到各种紧凑型电子系统中。

• 制造商产品型号：MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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