MT40A1G4HX-083E:A是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 4的存储单元组织结构和并行接口。该器件在1.2GHz的时钟频率下运行，基于双倍数据速率技术，可提供高带宽的数据访问性能，核心工作电压范围为1.14V至1.26V，有助于实现系统级的低功耗设计。
其特性包括数据总线倒置（DBI）和片内终端电阻（ODT），旨在优化功耗、降低噪声并提升信号完整性。该芯片采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对内存性能和可靠性有较高要求的网络、存储及嵌入式计算应用。
- 型号:MT40A1G4HX-083E:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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