MT40A512M8SA-062E IT:F TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 8的并联架构。该器件以1.6GHz的高时钟频率运行，提供高达3200MT/s的数据传输率，并具备13.75ns的低访问延迟，旨在满足现代高性能计算系统对内存带宽和响应速度的严苛要求。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升能效方面表现突出。该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在工业及商业等各种环境条件下的可靠性与稳定性。这些核心参数使其成为网络通信、嵌入式系统和工业控制等领域的理想高速易失性存储解决方案。
- 型号:MT40A512M8SA-062E IT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（7.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
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