MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心组织为128G x 8位，并封装在紧凑的132-VBGA封装内，适用于表面贴装。

芯片支持333MHz的高时钟频率，配合并联存储器接口，可实现高速数据读写操作。其工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，满足主流商业应用的环境要求。这些参数共同构成了其大容量、高带宽和可靠存储的核心价值。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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