MT29F4G08ABBDAH4:D

MT29F4G08ABBDAH4:D是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8位）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，在断电后仍能可靠保存数据，其1.7V至1.95V的低工作电压范围显著降低了系统功耗，适用于对能效有要求的嵌入式设计。

芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，具有紧凑的物理尺寸，适合空间受限的应用。它支持标准的异步并行接口，便于与主流微控制器或处理器直接连接。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）确保了在常见电子设备环境下的稳定性和数据完整性，适用于需要可靠固件存储或数据记录的各种消费电子及工业嵌入式系统。

• 型号:MT29F4G08ABBDAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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