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MICRON
MT40A1G16KNR-062E:E的图片

MT40A1G16KNR-062E:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(7.5x13.5)
优势价格,MT40A1G16KNR-062E:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A1G16KNR-062E:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A1G16KNR-062E:E是美光科技推出的一款16Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用1G x 16位组织架构和并联接口,封装于96-TFBGA中。该器件核心特性在于其高达1.6GHz的时钟频率,可实现3200 MT/s的数据传输率,为系统提供卓越的内存带宽。

其工作电压范围为1.14V至1.26V,在提供高性能的同时兼顾了能效。该芯片支持0°C至95°C(TC)的工作温度范围,并具备快速的访问时间(19ns)和写周期时间(15ns),确保了在高速运算环境下的数据存取效率和系统响应能力,主要面向服务器、数据中心、网络通信及高端计算平台等对内存性能和可靠性要求极高的应用。

  • 型号:MT40A1G16KNR-062E:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(7.5x13.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:1G x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13.5)
  • 想获取MT40A1G16KNR-062E:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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