MT41K512M16TNA-125 M:E TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 16位的存储组织架构。该器件基于DDR3L低电压技术，核心工作电压范围为1.283V~1.45V，在提供高性能的同时显著降低了功耗。
其数据传输速率高达1600 MT/s（对应时钟频率800MHz），并具备13.5ns的快速访问时间，能够有效满足高速数据处理系统的带宽需求。芯片采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C，适用于网络通信、工业控制等对可靠性和性能要求较高的嵌入式应用领域。
- 型号:MT41K512M16TNA-125 M:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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