MT41J512M8RH-093:E 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该芯片采用512M x 8的并行架构，运行时钟频率为1066MHz，可实现高达2133 MT/s的数据传输速率，并提供20ns的快速访问时间，旨在满足高性能计算和数据处理应用对高速、大容量内存的需求。
其工作电压设计在1.5V标准范围（1.425V ~ 1.575V），在提升性能的同时优化了功耗表现。器件采用78-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的嵌入式设计。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:MT41J512M8RH-093:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.066 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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