MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8的内部组织结构。该器件基于非易失性存储技术，确保数据在断电后不丢失，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围兼容主流嵌入式系统设计。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持卷带包装以适应自动化生产。其核心优势在于工业级温度适应性（-40°C ~ 85°C）和高速并联数据接口，能够满足严苛环境下的可靠数据存储与快速访问需求，适用于对稳定性和性能有双重要求的工业控制、网络通信及汽车电子等领域。
- 型号:MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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