MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR是一款由美光科技制造的4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和512M x 8的内部组织结构。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失，适用于需要持久化存储的应用。
其核心特性包括1.7V至1.95V的宽电压供电范围，有助于实现低功耗设计；工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业级环境要求。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，提供了紧凑的物理尺寸和良好的电路板布局适应性。
- 型号:MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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