M58LR128KB85ZB6F TR

M58LR128KB85ZB6F TR是美光科技推出的一款128Mb容量并行NOR闪存芯片。该器件采用1.8V电压平台，提供85ns的快速访问时间和高达66MHz的时钟频率，确保了高速代码读取和数据传输能力，适用于对实时性要求高的嵌入式应用。

其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备工业级可靠性，并采用节省空间的56-VFBGA封装。该芯片的非易失特性和快速写入周期使其成为工业控制、汽车电子和网络设备等领域中代码存储与执行的可靠解决方案。

• 制造商产品型号：M58LR128KB85ZB6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：66MHz
• 写周期时间-字，页：85ns
• 访问时间：85ns
• 电压-供电：1.7V ~ 2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：56-VFBGA
• 想获取M58LR128KB85ZB6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料