MT29F512G08CKCABH7-6:A TR是美光科技推出的一款512Gb容量、并联接口的NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，在2.7V至3.6V电压下工作，支持高达166MHz的时钟频率，提供高速数据读写性能，适用于0°C至70°C的工业温度环境。
该芯片以64G x 8的位宽组织存储单元，通过标准并联接口实现与主机控制器的高效通信。其核心卖点在于将高存储密度与可靠的工业级稳定性相结合，表面贴装型卷带包装便于自动化生产集成。尽管产品状态已停产，其技术参数仍适用于需要大容量嵌入式存储的解决方案设计。
- 型号:MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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