MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR是美光科技推出的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性闪存技术，核心架构为128G x 8位组织，提供高达128GB的存储空间，并通过并联接口支持333MHz的时钟频率，确保高速数据吞吐能力。
其工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性良好，采用132-VBGA表面贴装封装，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的自动化生产。这款大容量、高性能的闪存解决方案主要面向需要本地化海量数据存储与快速访问的嵌入式系统和网络基础设施。
- 型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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