MT29F64G08CBCBBH1-10X:B是美光科技推出的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。它基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储，其100MHz的时钟频率为数据传输提供了良好的性能基础。
该器件采用100-VBGA表面贴装封装，工作电压为2.7V~3.6V，工作温度范围为0°C~70°C，适用于商业温度环境下的各种嵌入式存储应用。其核心卖点在于将大容量存储与标准的并行接口相结合，适用于需要快速访问大量固定数据的系统设计。
- 型号:MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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