M58WR064EB70ZB6是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用4M x 16位的存储结构。该器件核心优势在于其70ns的快速访问时间与高达66MHz的时钟频率，能够为微处理器提供接近零等待状态的高速指令读取，确保系统高效启动和运行。
芯片工作电压范围为1.65V至2.2V，有助于降低整体系统功耗，并兼容现代低电压逻辑。其采用56-VFBGA小型化封装，支持表面贴装工艺，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用对可靠性和环境适应性的严苛要求。这些参数共同构成了其适用于对性能、功耗和空间均有要求的嵌入式存储解决方案的基础。
- 型号:M58WR064EB70ZB6
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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