MT29F4G08ABAEAH4-IT:E是美光科技生产的一款4Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用63-VFBGA封装，提供512M x 8位的存储组织方式，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度。
其核心优势在于采用标准的并联存储器接口，可实现高效的数据传输，适用于需要中高速非易失性存储的嵌入式系统。作为表面贴装型组件，它便于集成到高密度电路板设计中，满足工业控制、网络设备及消费电子等领域对可靠数据存储的需求。
- 型号:MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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