MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR是美光科技推出的一款采用并行接口的高密度NAND闪存芯片，其存储容量高达1.5Tb（192GB x 8位），采用先进的3D NAND技术构建，旨在满足对存储空间和性能有严苛要求的应用。

该器件支持267MHz的高速时钟频率，配合其并联接口，可实现出色的数据吞吐性能。其工作电压范围为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业应用环境中的广泛适用性和可靠性。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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