MT29F1T08EEHBFJ4-T:B

MT29F1T08EEHBFJ4-T:B是美光科技生产的一款1Tb（128GB）容量NAND闪存芯片，采用先进的3D TLC技术和并联接口。该器件提供非易失性数据存储，工作电压为1.7V至1.95V，支持商业级温度范围（0°C至70°C），并采用紧凑的132-VBGA表面贴装封装。

其核心优势在于高存储密度与成本效益的平衡，1Tb的容量组织为128G x 8位，适合处理大规模数据。并联接口确保了高效的数据传输速率，满足对存储带宽有严格要求的应用。这款芯片主要面向需要大容量、可靠嵌入式存储的解决方案，是企业存储、高端消费电子及工业系统的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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