MT41K256M16TW-107 AAT:P是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM，采用256M x 16的并行架构。该器件工作电压为1.283V至1.45V，支持高达933MHz的时钟频率（数据速率1866MT/s）和20ns的访问时间，旨在提供高性能、低功耗的数据存取解决方案。
其核心卖点在于通过了AEC-Q100汽车级认证，确保在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定运行，满足汽车电子等高可靠性应用的需求。器件采用96-TFBGA封装，适用于表面贴装，主要面向汽车ADAS、车载信息娱乐、工业控制及通信设备等对环境和长期可靠性有严苛要求的领域。
- 型号:MT41K256M16TW-107 AAT:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
- 想获取MT41K256M16TW-107 AAT:P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
