MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR是一款由美光科技制造的1Gb NAND闪存芯片，采用并行接口和128M x 8的存储结构，提供高效的非易失性数据存储解决方案。其核心卖点包括1.7V至1.95V的低电压供电，支持节能设计，以及-40°C至85°C的宽工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定运行。
该芯片封装为63-VFBGA，表面贴装型，适合高密度PCB应用，卷带包装便于自动化生产。作为有源器件，它适用于嵌入式系统、工业控制和消费电子等领域，兼顾了容量、可靠性和易用性。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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