MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR是美光科技推出的一款多芯片封装（MCP）存储器，集成了8Gb NAND闪存和4Gb LPDRAM于单一的168-VFBGA封装内。该器件通过并联接口提供总计12Gb的混合存储容量，旨在为嵌入式系统提供高密度非易失性存储与高速缓存的一体化解决方案。

其核心优势在于将两种存储介质物理整合，NAND闪存（512M x 16）用于主数据存储，而时钟频率达200MHz的LPDRAM（128M x 32）可作为高效数据缓冲区。该芯片支持1.7V至1.95V的宽电压范围，并能在-25°C至85°C的工业温度环境下稳定工作，采用表面贴装型卷带包装，适合自动化生产。

• 制造商产品型号：MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：FLASH，RAM
• 技术：闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量：8Gb（512M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-VFBGA
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