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MICRON
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E的图片

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
原厂封装:封装:-
优势价格,MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E是美光科技生产的一款32Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 64的存储结构,核心工作频率高达2133MHz,能够为移动计算平台提供高带宽的数据吞吐能力,有效支撑高性能应用运行。

其设计着重于能效与可靠性,核心供电电压为1.1V,有助于降低系统整体功耗。同时,它支持-30°C至105°C的扩展工作温度范围,确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其适用于对性能、功耗和环境适应性有严格要求的嵌入式与移动设备。

  • 型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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