NAND16GW3B6DPA6E是一款由美光科技制造的16Gb（2G x 8）并行接口NAND闪存，采用114-LFBGA表面贴装封装，提供非易失性数据存储解决方案。其核心特性包括25ns的页写入和访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保在嵌入式系统中实现高效、稳定的数据操作。
该芯片适用于-40°C至85°C的工作温度环境，满足工业级和扩展温度应用需求。其并行接口设计优化了大容量数据吞吐，适合固件存储、媒体缓冲或系统日志记录等场景，为高密度存储应用提供了可靠的技术基础。
- 型号:NAND16GW3B6DPA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:114-LFBGA（12x16）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:114-LFBGA
- 供应商器件封装:114-LFBGA（12x16）
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