MT49H32M18CSJ-18:B TR

MT49H32M18CSJ-18:B TR是美光科技推出的一款576Mb容量、采用并行接口的DRAM芯片。其核心配置为32M字深、18位宽，在533MHz的时钟频率下运行，能够提供高速的数据吞吐能力，访问时间低至15ns，适用于对内存带宽和延迟有严格要求的应用。

该器件采用1.7V至1.9V供电，支持0°C至95°C的宽工作温度范围，并采用144-TFBGA表面贴装封装，确保了在严苛环境下的可靠性和易于生产组装的特点。作为一款有源状态的易失性存储器，它为网络通信、工业控制及高性能嵌入式系统提供了关键的数据缓冲和存储解决方案。

• 型号:MT49H32M18CSJ-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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