M29W256GH70N6E是美光科技推出的一款256Mb并行NOR闪存芯片。它提供32M x 8位或16M x 16位的灵活配置，访问时间和写周期时间均为70ns，支持快速的随机读取和代码执行，单电压供电范围为2.7V至3.6V。
该芯片采用56-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，具备非易失性数据存储特性。其核心价值在于为嵌入式系统提供了高可靠性、高性能的固件存储解决方案，适用于对启动速度和数据完整性有严格要求的工业及汽车电子应用。
- 型号:M29W256GH70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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