M29W160EB70ZS6F TR 是美光科技生产的一款16Mb并行NOR闪存存储器，采用64-FBGA封装。该器件提供2M x 8位或1M x 16位的灵活存储组织方式，访问时间与写周期时间均为70ns，支持快速的代码读取与数据写入操作。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖-40°C至85°C，确保了在宽电压及工业级温度环境下的稳定性和可靠性。该芯片适用于需要可靠非易失性存储及快速随机访问的嵌入式系统，如工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
- 型号:M29W160EB70ZS6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:2M x 8，1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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