M29W640GL70ZA6E 是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存存储器，采用48-TFBGA封装。该芯片提供8位或16位可配置数据总线，支持灵活的系集成，其核心特性包括70纳秒的快速访问时间和编程周期时间，能够实现高效的代码执行（XIP）与数据写入。
器件工作在2.7V至3.6V电压范围内，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和数据非易失性。它主要面向需要可靠存储和快速随机读取的嵌入式应用，是工业控制、网络通信和汽车电子等领域的理想代码存储解决方案。
- 型号:M29W640GL70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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