M29F200BT70N6E是美光科技生产的一款2Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFSOP表面贴装封装。该器件提供256K x 8或128K x 16的灵活存储组织方式，并支持4.5V至5.5V的宽电压供电范围。
其核心性能优势在于70ns的快速访问时间和写周期时间，能够实现高效的数据读取与写入操作。同时，器件具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和数据非易失存储的可靠性，适用于对固件存储和代码执行有严格要求的嵌入式应用。
- 型号:M29F200BT70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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