MT29F4G08ABAEAH4:E是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失，为核心代码和数据提供可靠的存储解决方案。
其关键特性包括2.7V至3.6V的宽电压供电范围，增强了系统电源设计的适应性；工作温度范围为0°C至70°C，适用于标准的商业应用环境。这款表面贴装型芯片以其适中的容量、标准的并行接口和紧凑的封装，主要面向各类需要嵌入式存储的工业控制、网络设备和消费电子产品。
- 型号:MT29F4G08ABAEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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