MT49H32M9FM-33:B TR

MT49H32M9FM-33:B TR是一款由美光科技制造的288Mb并行DRAM芯片，采用32M x 9的存储结构，提供高速数据访问能力。其时钟频率达到300MHz，访问时间为20ns，支持1.7V至1.9V的低电压供电，在0°C至95°C的工作温度范围内保持稳定性能。

该芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，以卷带形式提供，便于集成到紧凑的电路板设计中。其并联接口优化了带宽效率，适用于需要高吞吐量和低延迟的应用，如网络基础设施和工业控制系统，是高性能存储解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：MT49H32M9FM-33:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：288Mb（32M x 9）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：300MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：144-TFBGA
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