EDB8164B4PT-1D-F-D是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR2技术的并行接口SDRAM。该器件以533MHz的时钟频率运行，提供高速数据带宽，其核心卖点在于为移动和嵌入式应用优化的低功耗特性，工作电压可在1.14V至1.95V范围内调节。
芯片采用216引脚FBGA封装，表面贴装设计，支持-30°C至85°C的宽工作温度范围，确保了在各类环境下的可靠性。其128M x 64位的组织架构和易失性DRAM格式，使其成为智能手机、平板电脑及车载系统等需要高性能、小尺寸和节能内存解决方案的理想选择。
- 型号:EDB8164B4PT-1D-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
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