MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR

MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR是美光科技生产的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于浮栅技术，提供非易失性数据存储，其核心卖点在于通过100MHz时钟频率的并行接口实现较高的数据传输带宽，并工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，兼容性良好。

芯片采用132-VBGA表面贴装封装，适用于空间受限的PCB设计。其8位总线宽度和页操作模式优化了大块数据的读写效率，主要面向需要嵌入式大容量存储的工业控制、网络通信及消费电子应用，为系统提供可靠的固件与数据存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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