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MICRON
MT40A512M8RH-075E AUT:B的图片

MT40A512M8RH-075E AUT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9x10.5)
优势价格,MT40A512M8RH-075E AUT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8RH-075E AUT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8RH-075E AUT:B是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用512M x 8的并行架构,运行时钟频率高达1.33GHz,可在1.14V至1.26V的低电压下工作,实现了高带宽与低功耗的有机结合。

其显著特性包括支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围,以及采用节省空间的78-TFBGA表面贴装封装,确保了在恶劣环境和紧凑空间内的可靠运行。此芯片主要面向需要高速数据缓存和稳定存储解决方案的工业自动化、网络通信及嵌入式系统等领域。

  • 型号:MT40A512M8RH-075E AUT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.33 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 想获取MT40A512M8RH-075E AUT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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