EDB8164B4PK-1D-F-R TR是美光科技生产的一款8Gb容量移动LPDDR2 SDRAM，采用220-FBGA封装和卷带包装。该芯片的核心卖点在于其128M x 64位的并联架构与533MHz的高时钟频率，能够提供高速的数据带宽，满足密集型数据处理需求。
同时，其1.14V至1.95V的宽电压供电范围和-30°C至85°C的宽工作温度范围，显著优化了功耗并增强了环境适应性，使其非常适合于空间紧凑、对功耗和可靠性有严苛要求的移动及嵌入式系统。
- 型号:EDB8164B4PK-1D-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:220-FBGA（14x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 220FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:220-WFBGA
- 供应商器件封装:220-FBGA（14x14）
- 想获取EDB8164B4PK-1D-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
