MT49H32M18BM-25E:B是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 18的存储结构。该器件设计用于提供高速数据访问，其核心运行时钟频率可达400MHz，并实现了15ns的快速访问时间，能够满足对时序要求苛刻的应用需求。
芯片工作在1.7V至1.9V的低电压范围内，有助于控制系统功耗，并采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。这款并行接口DRAM主要面向需要高带宽数据缓冲和存储的嵌入式系统与通信设备。
- 型号:MT49H32M18BM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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