MT41K256M16TW-107 IT:P TR

MT41K256M16TW-107 IT:P TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16位的并行架构。该器件基于低功耗DDR3L技术，核心优势在于其1.283V至1.45V的低工作电压范围与高达933MHz的时钟频率（等效1866 MT/s数据速率）的结合，实现了高性能与高能效的平衡。

其技术参数针对严苛应用环境设计，提供-40°C至95°C的宽工业级工作温度范围，并采用96-TFBGA小型化封装，适用于空间受限的嵌入式设计。该芯片具备15ns的快速写周期和20ns的访问时间，能够有效满足现代处理器对内存子系统低延迟、高带宽的数据存取需求，是网络通信、工业控制及汽车电子等领域中高端应用的可靠存储解决方案。

• 型号:MT41K256M16TW-107 IT:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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