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MICRON
M25P80-VMN3TPB TR的图片

M25P80-VMN3TPB TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,M25P80-VMN3TPB TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M25P80-VMN3TPB TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M25P80-VMN3TPB TR 是美光科技推出的一款8Mb(1M x 8)容量SPI NOR闪存存储器,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术,通过高效的串行外设接口(SPI)进行通信,最高支持75MHz时钟频率,提供快速的数据读取与可靠的代码存储功能。

其核心优势在于宽泛的工作电压范围(2.7V~3.6V)与扩展的工业级温度范围(-40°C至125°C),确保在苛刻环境下稳定运行。器件提供优化的页编程与扇区擦除时间,并支持标准的SPI、双输出及四输出(QIO)模式,在节省系统I/O资源的同时,有效提升了数据吞吐效率,适用于对空间、功耗和可靠性有严格要求的嵌入式设计。

  • 型号:M25P80-VMN3TPB TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb
  • 存储器组织:1M x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:75 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ms,5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取M25P80-VMN3TPB TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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