MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口设计，最高时钟频率为333MHz，可实现高速数据读写。其非易失特性确保数据在断电后持久保存，适用于需要大容量存储且对性能有要求的应用。

该芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性强，能在0°C至70°C的商业温度范围内稳定运行。其卷带（TR）包装形式便于自动化生产，提升组装效率，适合大规模部署。

• 制造商产品型号：MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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