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MICRON
EDB8132B4PB-8D-F-R TR的图片

EDB8132B4PB-8D-F-R TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168FBGA
原厂封装:封装:168-FBGA(12x12)
优势价格,EDB8132B4PB-8D-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB8132B4PB-8D-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB8132B4PB-8D-F-R TR是美光科技生产的一款8Gb容量LPDDR2移动SDRAM,采用256M x 32位架构和并联接口。该器件设计用于提供高性能内存解决方案,同时显著优化功耗,其工作电压范围为1.14V至1.95V,支持高达400MHz的时钟频率,以满足嵌入式系统对带宽和能效的双重要求。

该芯片采用168-WFBGA小型化封装,适用于表面贴装工艺,工作温度范围宽达-30°C至85°C,确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。其技术参数精准定位于对空间、功耗和性能有严格平衡需求的移动及便携式应用场景。

  • 型号:EDB8132B4PB-8D-F-R TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:168-FBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:168-WFBGA
  • 供应商器件封装:168-FBGA(12x12)
  • 想获取EDB8132B4PB-8D-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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