M29F200FB55N3E2是美光科技推出的一款2Mb并行NOR闪存芯片，提供256K x 8位或128K x 16位的灵活组织方式。它采用标准的并联接口，访问时间和写周期时间均为55ns，确保了高效的数据读写性能。
该器件工作电压范围为4.5V至5.5V，并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围，满足工业级应用需求。其采用48-TSOP表面贴装封装，适用于对空间和可靠性有较高要求的嵌入式代码存储与执行场景。
- 型号:M29F200FB55N3E2
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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