MT29E1T08CUCCBH8-6:C是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用152-LBGA封装，工作电压为2.7V至3.6V，支持高达167MHz的时钟频率，能够通过其8位并行数据总线实现高速数据访问，满足对带宽有较高要求的存储应用。
其核心卖点在于将大容量存储与高性能接口相结合，提供128G x 8的存储组织方式，适用于需要处理大量数据的商业级系统。作为一款已停产的非易失性存储器，它在设计用于企业存储、工业控制和通信基础设施等领域的旧有系统中，曾扮演关键的数据存储角色。
- 型号:MT29E1T08CUCCBH8-6:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
- 想获取MT29E1T08CUCCBH8-6:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
