MT49H8M36BM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量、36位宽并行接口DRAM芯片。其核心卖点在于结合了300MHz的高时钟频率与20ns的快速访问时间，能够提供优异的数据吞吐性能，满足高速数据处理需求。
该器件工作电压为1.7V~1.9V，在保证性能的同时实现了低功耗运行。其采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C，展现出良好的环境适应性与可靠性，适用于对稳定性和带宽有较高要求的嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT49H8M36BM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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