NAND512W3A2SZA6E是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8位）并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA表面贴装封装。该器件基于非易失性NAND闪存技术，提供可靠的数据存储，其宽电压供电范围（2.7V - 3.6V）与扩展工业级温度范围（-40°C 至 85°C）确保了在多样化和严苛环境下的稳定运行。
其核心性能优势体现在50ns的快速页写入时间和访问时间，配合并行接口，能够实现高效的数据读写操作，满足对实时性有要求的应用场景。此芯片适用于需要中等容量、高可靠性存储解决方案的各类嵌入式系统。
- 型号:NAND512W3A2SZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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