MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 18位架构。该器件以400MHz的时钟频率和15ns的访问时间为核心性能指标，旨在提供高速数据读写能力。

其工作电压为1.7V至1.9V，支持-40°C至85°C的工业级温度范围，并采用144-TFBGA表面贴装封装，确保了在要求高可靠性和宽温运行环境中的应用适应性。该芯片适用于需要并行接口和高带宽数据缓冲的各类电子系统。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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