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MICRON
MT47H64M8B6-3 IT:D TR的图片

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA
优势价格,MT47H64M8B6-3 IT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M8B6-3 IT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M8B6-3 IT:D TR是美光科技生产的一款512Mb DDR2 SDRAM组件,采用64M字深、8位宽的并行接口架构。该器件在333MHz的时钟频率下运行,实现高达667MT/s的数据传输速率,其450ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据吞吐性能。

该芯片采用1.8V供电,工作温度范围覆盖-40°C至95°C(TC),符合工业级应用标准。其60-FBGA表面贴装封装适用于高密度PCB设计。这些核心参数使其成为对内存带宽、可靠性和环境适应性有要求的嵌入式及通信设备的理想选择。

  • 型号:MT47H64M8B6-3 IT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:450 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-FBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA
  • 想获取MT47H64M8B6-3 IT:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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