MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术。其核心卖点在于提供了高达64GB（64G x 8）的存储空间，并支持100MHz的时钟频率，能够满足对大数据量进行高速读写处理的应用需求。
该芯片工作电压为2.7V~3.6V，采用48-TFSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在广泛商业环境下的兼容性与可靠性。作为一款非易失性存储器，它为需要持久化存储大量程序代码、用户数据或媒体内容的嵌入式系统与工业设备提供了关键的存储解决方案。
- 型号:MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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