MT40A256M16GE-083E AUT:B TR是一款由美光科技生产的4Gbit容量DDR4 SDRAM存储器芯片。该器件采用256M x 16的位宽配置，通过并联接口实现高速数据交换，其核心时钟频率高达1.2GHz，能够提供优异的内存带宽，满足数据密集型应用的需求。
该芯片采用1.2V标称电压供电，并支持宽电压范围（1.14V~1.26V），在性能与功耗间取得平衡。其设计亮点在于宽工作温度范围（-40°C ~ 125°C TC），符合严苛环境下的可靠性要求。器件采用96-TFBGA小型化封装，适合表面贴装，便于在空间受限的电路板设计中实现高密度内存部署。
- 型号:MT40A256M16GE-083E AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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