MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR是一款由美光科技制造的2Gb（256M x 8）并行接口NAND闪存存储器。该芯片采用非易失性存储技术，在断电后仍能确保数据不丢失，其2.7V~3.6V的宽电压供电设计增强了其在各种3.3V系统环境中的兼容性与适用性。
器件采用表面贴装型的48-TFSOP封装，并以卷带形式供货，便于自动化生产。其商业级工作温度范围（0°C ~ 70°C）满足多数常规电子设备的运行要求。作为一款已停产但仍在特定领域有应用需求的器件，它为核心功能稳定、注重成本与供应链延续性的嵌入式存储方案提供了一个经过市场验证的选择。
- 型号:MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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