NAND512W3A2DN6E 是美光科技推出的一款512Mb容量并行NAND闪存芯片。它采用64M x 8位的组织结构，提供标准并行接口，支持快速页操作，其页写入周期和访问时间均为50ns，确保了高效的数据传输速率。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容主流的3.3V逻辑系统，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。其48-TSOP表面贴装封装形式，便于集成到各类嵌入式硬件平台中，为需要可靠、中等容量非易失性存储的应用提供了一个成熟的解决方案。
- 型号:NAND512W3A2DN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
- 想获取NAND512W3A2DN6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
